法国巴黎银行表示，随着人工智能(AI)推动内存行业进入“历史上升周期”昭通塑料挤出设备，美光科技(MU.US)和Sandisk(SNDK.US)有望持续受益。该行分析师卡尔·阿克曼(Karl Ackerman)在客户报告中表示：“随着消费级DRAM和NAND TLC现货价格在11月同比分别上涨408%和165%，我们相信DRAM和NAND正步入可能贯穿2026年的历史上升周期。我们继续看好内存和存储供应链，不过数据中心业务占比较高的公司表现会更好。”
深入分析后，阿克曼表示，DRAM四季度平均售价预计将环比上涨35%，2026年一季度将环比上涨10%。他补充道，根据近期调研，这主要是由于供应持续紧张。NAND情况类似，预计四季度价格上涨15%，下一季度上涨7%。
另外，根据民调结果，如果特朗普和拜登重新对决，目前的民调结果对特朗普有利。特朗普在美国注册选民中的支持率稳定在49%，与CNN在1月份进行的上一次民调结果相同；而拜登的支持率为43%，1月时是45%。在分别评价两人的总统任期时，55%的美国人如今认为特朗普的总统任期是成功的，44%认为是失败的。2021年1月在特朗普离任前昭通塑料挤出设备，也就是当年1月6日美国国会山骚乱事件几天后进行的一项民调结果显示，55%的美国人认为他的总统任期是失败的。
《纽约时报》28日援引多名以列等国政府官员说法披露此事。针对以方官员的指控可能包括阻止人道主义援助物资进入巴勒斯坦加沙地带，以及就去年10月7日哈马斯突袭以列实施过于残酷的报复。
Q Q：183445502阿克曼解释道：“自1999年以来，DRAM的平均上升周期持续8个月，平均售价从低谷到高峰上涨53%，而NAND的平均上升周期通常持续6个月，平均售价上涨40%。当前DRAM上升周期已进入5个月，平均售价较谷底上涨55%;NAND上升周期进入4个月昭通塑料挤出设备，平均售价较谷底上涨51%。然而，异型材设备我们预计本轮上升周期对DRAM和NAND都将更具持续。我们观察到巨大的现货/约价差：DDR4为45%，DDR5为89%，256Gb TLC为47%，512Gb TLC为9%，这预示着价格将进一步上涨。”
内存芯片“级周期”已至!供应短缺或延续至2026年
在ChatGPT于2022年11月发布并引发生成式AI热潮昭通塑料挤出设备，以及全球掀起AI数据中心建设热潮之后，内存芯片制造商开始将更多产能分配给高带宽内存(HBM)芯片。
来自中国竞争对手的成熟芯片竞争日益激烈，也促使控制着全球约70%的DRAM芯片市场的三星和SK海力士这两家公司加速向高端芯片转移。这些厂商自2025年初起便陆续调整战略，逐步减少乃至计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4内存颗粒的生产，将产能转向利润更高、技术更先进的DDR5、HBM等产品。
摩根士丹利预计昭通塑料挤出设备，包括谷歌、亚马逊、Meta、微软和CoreWeave在内的科技巨头，今年将在人工智能基础设施上投入4000亿美元。而这场AI繁荣，又恰逢传统数据中心和个人电脑迎来新的更新换代周期。分析师指出，加上手机销量预期，这共同加剧了非HBM内存芯片的供应紧张，并推高了其价格。
据悉，RAM以4GB DDR4X为例，颗粒现货市场从今年初低7美元/颗涨到11月中旬的30美元/颗以上，上涨3—4倍;闪存以64G eMMC为例，从年初的3.2美元/颗上涨到近期的8美元/颗以上，涨幅接近1.5倍。另外，随着海外AI服务器对eSSD的需求增加，NAND闪存也紧跟DRAM颗粒之后开始大幅涨价。
随着普通内存芯片的供应已趋紧，全球内存芯片行业似乎正加剧迈入许多分析师所称的“级周期”，设备制造商正疯狂囤积内存芯片。半导体分销商Fusion Worldwide总裁Tobey Gonnerman表示：“过去一两个月需求激增。市场变化确实快得惊人。抢购行为正在加剧，且将持续升级。客户普遍采取了双倍/三倍下单策略，这与以往多次短缺时的情形如出一辙。”
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